功率二极管行业发展现状、市场规模分析及预测（附报告目录）

1、功率二极管细分及应用领域

功率二极管是一种相对较早诞生的功率半导体器件，主要用于整流、开关、稳压等功能，具有工作可靠的特点。功率二极管产品应用广泛，主要涉及工业照明、家用电器、网络通讯等行业。

相关报告：北京普华有策信息咨询有限公司《2021-2027年功率二极管行业全面调研及投资战略规划报告》

功率二极管细分及典型应用领域

资料来源：普华有策

目前市场相对分散，行业第一的 Vishay 份额超 10%，其余占比均较低。大陆和中国台湾厂商有望凭借低成本优势以及产业扶持政策逐步占据市场，成为功率器件中率先突破的子领域。

2016-2020年我国及全球功率二极管市场规模情况

资料来源：普华有策

2、碳化硅二极管行业情况

碳化硅是第三代半导体材料，与第一二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料。目前碳化硅器件主要用于 600 伏及以上的应用领域，特别是一些对能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车充电装置、电动汽车动力系统、光伏微型逆变器领域、服务器电源领域、变频家电领域等应用。

2019 年全球碳化硅功率半导体市场规模约为 5 亿美元，到 2024 年，碳化硅功率半导体市场规模将增长至 20 亿美元，其中，汽车市场是最重要的驱动因素，其占碳化硅功率半导体市场比重到 2024 年预计将达 50%。

相比于硅基功率器件的发展路径，碳化硅功率器件也正在经历从功率二极管到 IGBT 的发展过程。碳化硅二极管是目前发展最快的碳化硅器件，目前已经在工控、车载等领域率先实现商业化。SiC MOSFET 具备比硅基 IGBT 更好的性能，但是成本是 IGBT 的数倍，在少数领域已经得到应用。SiC IGBT 具备更好的性能，但是目前还处于试验研发阶段，距离商用还有较长距离。

碳化硅功率器件应用领域众多，其中车载领域最具发展前景。在车载领域，功率器件主要用于 OBC、DC/DC 转换器、主逆变器和电动压缩机，应用于双向OBC 的碳化硅器件能够缩短充电时间、提高效率、减少电损耗；应用于主驱逆变器的碳化硅器件可以帮助续航里程的增加、减小电池尺寸、降低成本。