从高纯金属到晶圆良率：半导体溅射靶材市场全景与前沿趋势

1、半导体溅射靶材行业定义与本质属性

靶材是物理气相沉积工艺的“核心弹药”。
半导体溅射靶材本质上是一种高纯度的金属或合金源材料。在晶圆制造的高真空腔体内，通过等离子体轰击靶材表面，使其原子级颗粒剥离并均匀沉积在硅片上，最终形成芯片内部的导电层、阻挡层或接触层。没有靶材，芯片内部极其复杂的金属互连网络就无从谈起。

“低价值占比”与“高战略权重”的不对称性。 在晶圆厂的总制造成本中，靶材采购金额的占比其实并不高；但它的物理特性决定了它直接关乎整条产线的良率。任何一个微小的纯度不达标或颗粒脱落，都会导致整片晶圆报废。这种“价值量微小、但断供风险极高”的属性，使其成为大国科技博弈中必须自主可控的关键底座材料。

2、 半导体溅射靶材行业发展历程

（1）起步期

面板领域的“替身”突围。
中国靶材产业的早期规模化发迹于平板显示行业。国内企业通过在铝靶、钼靶等中低端品类的研发，初步摸透了金属熔炼、轧制与背板焊接的底层工艺。然而，这段时期的繁荣并未穿透半导体壁垒，芯片制造用高端靶材依然被外资死死压制。

（2）攻坚期

“十四五”期间的体系化破冰。
随着国家将高纯靶材列入关键战略材料，行业逻辑从企业单打独斗转向了体系化扶持。以江丰电子、有研亿金为代表的头部企业，开始在铜、钛等品类上敲开国内晶圆厂的大门。这一阶段的标志性意义不在于拿下了多少市场份额，而在于终于跨过了晶圆厂严苛的“初始认证”门槛。

（3）跃升期

“十五五”导向下的先进制程硬刚。
进入“十五五”规划窗口，新材料被正式确立为国家安全要素。行业的命题作文变了：从“能不能造出半导体级靶材”升级为“能不能在七纳米甚至五纳米的先进制程产线上稳定量产”。结合人工智能大模型带来的算力芯片需求，靶材行业正迎来从成熟制程向高精尖全面渗透的历史性拐点。

3、半导体溅射靶材产业链结构及相互影响

（1）上游：纯度天花板是隐形的“卡脖子”绞索

靶材的品质高度依赖于上游五个九至七个九级别的高纯金属。虽然国内在铜、铝提纯上已具备相当实力，但在钽、钴等特种金属的高纯原料端，依然面临极高的对外依赖与地缘暴露风险。上游原材料的纯度上限，直接锁死了中游靶材企业向最高端制程冲击的物理极限；一旦海外限制特种金属出口，国内高端靶材的量产将成为无米之炊。

（2）中游：制造与绑定是“沉默的专有技术”

靶材制造绝非简单的金属加工，它涵盖了微观晶粒控制、热机械处理以及极其苛刻的靶材与背板绑定技术（电子束焊接）。这些工艺参数无法通过专利说明书直接获取，高度依赖长期的试错与失效数据积累。这种隐性壁垒导致了晶圆厂对供应商的极高粘性--一旦验证通过，轻易不会更换，这也使得国产靶材的份额爬坡呈现明显的滞后性。

（3）下游：制程演进倒逼全链升级

下游晶圆制造的制程越先进，金属互连层数就越多，单片晶圆对靶材的消耗价值和纯度要求就呈指数级上升。此外，芯粒技术与晶圆级先进封装等新场景的爆发，打破了靶材仅用于前道制造的惯例，对后道封装的薄膜沉积提出了新要求，这直接牵引着中游企业必须跳出传统品类，开发定制化的复合靶材。

4、 半导体溅射靶材行业竞争格局与重点玩家

半导体溅射靶材行业竞争格局与重点玩家

资料来源：普华有策

（1）全球

在半导体靶材的全球版图上，JX金属、霍尼韦尔（现分拆为索莱斯）、东曹等美日巨头长期把控着绝对的份额。虽然近年来随着国产替代的推进，头部外企的合计市占率有所松动，但这主要发生在中低端领域。在最核心的十四纳米以下先进制程靶材供应上，外资的垄断地位极其坚固，短期内难以被撼动。

（2）国内

国内靶材企业已经度过了“草莽时代”，梯队划分异常清晰。第一梯队的江丰电子，核心优势在于其靶材已打入全球先进制程供应链，出货量位居前列；有研新材（有研亿金）
则凭借“高纯金属提纯-靶材制造”的垂直一体化优势，在铜靶、钴靶及十二英寸大尺寸靶材上占据了国内高端市场的绝对主力。第二梯队的阿石创、欧莱新材等，虽然在显示面板或光伏靶材等细分赛道风生水起，但在半导体先进制程的验证进度上，仍需时间沉淀。

5、 半导体溅射靶材行业发展趋势与“新质生产力”映射

（1）产品结构的“两极分化”

未来靶材市场的增长将呈现结构性分化。铜、铝等传统大宗靶材的增速将趋缓，与成熟晶圆厂扩产节奏同步；而钽、钴、钨等高价值特种靶材，将随着先进逻辑与存储芯片的扩产迎来爆发。企业的竞争重心将从“总产能规模”彻底转向“高端有效供给能力”。

（2）技术演进向“大尺寸与复合化”狂奔

为了提升溅射效率和薄膜均匀性，大尺寸、超细晶粒是基本盘趋势。同时，为了应对复杂芯片结构的特殊要求，单一金属靶材正逐步向多层复合结构靶材、稀土掺杂靶材演进。这对企业的材料设计与界面工程能力提出了全新挑战。

（3）新旧产业融合的“降维打击”逻辑

新能源（如钙钛矿电池）与新型显示（微型发光二极管）是靶材跨界应用的广阔腹地。这些领域的绝对制程要求虽不及硅基芯片，但对特定光电性能有独特要求。靶材企业向这些新场景延伸，不仅仅是在卖材料，更是在输出针对特定应用场景的“产品定义能力”。

（4）“新质生产力”的具象化：工艺数据资产化

靶材行业的提质增效，不再简单依赖于引进几台先进进口设备，其核心在于将老师傅手中的“配方与手感”，转化为可量化、可复现的工艺数据库。通过持续的失效分析与数据迭代，缩短新品类的验证周期，这才是行业新质生产力最真实的体现，也是拉近与海外龙头差距的最短路径。

（5）垂直整合成为巨头标配

面对高纯金属原料的卡脖子风险，国内头部企业正加速向产业链上游延伸。构建从“高纯金属提纯”到“靶材精密制造”再到“废靶回收循环”的全产业链闭环，不仅是降本增效的选择，更是保障极端国际环境下供应链安全的必然战略。

北京普华有策信息咨询有限公司《2027-2033年半导体溅射靶材行业专项调研及发展前景趋势预判报告》

目录

第1章 半导体溅射靶材行业核心摘要与逻辑

1.1 半导体溅射靶材行业核心观点

1.1.1 薄膜沉积核心耗材：晶圆产能扩张与单片用量提升双轮驱动

1.1.2 “AI需求 ×
提价周期 × 国产替代”三重共振窗口判断

1.2 半导体溅射靶材行业核心投资主线

1.2.1 先进制程与先进封装拉动“量价齐升”

1.2.2 国产替代进入业绩兑现期

1.2.3 新质生产力与“十五五”关键材料战略窗口

1.3 行业重点企业

1.3.1 江丰电子、有研新材等第一梯队标的逻辑

1.3.2 欧莱新材、阿石创等细分赛道弹性标的

第2章 半导体溅射靶材行业特征、发展历程及产业链综述

2.1 半导体溅射靶材行业定义与分类

2.1.1 溅射靶材定义与PVD物理气相沉积中的功能定位

2.1.2 行业发展历程及从显示面板国产化到半导体级高端突破的阶段演进

2.1.3 溅射法与蒸镀法的工艺比较与主流地位

2.2 半导体溅射靶材产业链全景图谱

2.2.1 产业链上中下游各环节价值分布概览

2.2.2 产业链各环节技术门槛与国产化率差异

2.3 半导体溅射靶材行业关键驱动因素概览

2.3.1 SEMI 300mm晶圆厂设备支出预测

2.3.2 先进制程金属层数增加的单片用量乘数效应

2.3.3 提价周期中常规靶材与特殊小金属的价格传导

2.4 半导体溅射靶材行业发展现状与阶段特征

2.4.1 全球“高端垄断、中低端分散”的基本格局

2.4.2 中国从“显示靶材国产化”向“半导体级高端攻坚”的过渡阶段

2.4.3 国产化率的结构性落差及整体自给率与先进制程高端国产化率的分层

第3章 半导体溅射靶材行业上游高纯金属原材料分析

3.1 上游高纯金属原材料概述

3.1.1 高纯金属原材料5N、7N、9N纯度等级体系

3.1.2 铜、铝、钛、钽、钨、钼、钴等核心金属品种的物理与化学特性

3.2 上游原材料供应格局与价格波动

3.2.1 全球高纯金属矿产资源分布与供应链集中度

3.2.2 铜、钨、钽、钴等关键金属价格波动对成本结构的影响

3.2.3 原材料端的地缘暴露与供应链稳定性风险

3.3 上游原材料壁垒与延伸趋势

3.3.1 原材料壁垒中的高纯金属供应链集中度与地缘暴露

3.3.2 上游原材料企业向靶材级材料认证的前向延伸趋势

第4章 半导体溅射靶材行业中游制造与加工分析

4.1 中游靶材制造核心工艺流程

4.1.1 靶材制造与背板绑定核心流程概览

4.1.2 按制造工艺分类：熔炼法（EB）与粉末冶金法（HIP）的适用边界与致密度门槛

4.2 中游制造核心技术壁垒分析

4.2.1 技术壁垒：纯度、致密度、晶粒取向与绑定精度的复合门槛

4.2.2 资金与装备壁垒：高纯金属提纯与电子束焊接设备的进口依赖

4.3 中游制造工艺演进趋势

4.3.1 大尺寸单晶靶材制备与真空溅射利用率提升

4.3.2 靶材利用率提升与绿色制造降本增效的融合

第5章 半导体溅射靶材行业下游应用市场需求规模及前景分析

5.1 主要应用市场一：逻辑芯片制造分析及规模预测

5.1.1 7-3nm先进制程单位价值量提升机制

5.1.2 14-3nm Cu/CuMn互连工艺的靶材需求

5.1.3 2027-2033年先进逻辑制程靶材需求规模预测

5.2 主要应用市场二：存储芯片制造分析及规模预测

5.2.1 3D-NAND层数堆叠对钨/钼/钽靶的消耗拉动

5.2.2 HBM量产后靶材消耗的提升效应

5.2.3 2027-2033年存储用靶材细分规模及增速预测

5.3 主要应用市场三：先进封装分析及规模预测

5.3.1 Chiplet、CoWoS使薄膜沉积次数指数级增长

5.3.2 TSV、RDL、凸点下金属层（UBM）的靶材品种映射

5.3.3 先进封装靶材的纯度与均匀性特殊要求

5.4 主要应用市场四：显示面板与光伏分析及前景预测

5.4.1 显示面板领域大陆产能占比提升及ITO/钼合金靶需求基本盘

5.4.2 光伏领域ITO/AZO靶材高增速与高价格敏感度分析

5.4.3 2027-2033年非半导体应用对靶材总盘的结构性稀释判断

5.5 主要应用市场五：智能网联汽车与智能传感交叉应用

5.5.1 靶材与智能网联汽车、智能传感的交叉应用场景

第6章 半导体溅射靶材行业宏观环境分析（PEST）与产业政策规划

6.1 政治与政策环境（P）

6.1.1 国家层面：超高纯金属靶材列入鼓励类产业，“十五五”规划纲要将新材料提升至战略高度

6.1.2《政府工作报告》将集成电路列为六大新兴支柱产业之首

6.1.3 国家集成电路产业投资基金靶材专项增资情况

6.1.4 地方层面：广州“十五五”集成电路全链条政策中的高纯靶材集聚布局

6.2 经济环境（E）

6.2.1 全球半导体资本开支周期与靶材需求的传导机制

6.2.2 关键金属价格波动对成本结构的影响

6.2.3 人民币汇率与靶材进出口贸易结构

6.3 社会与技术环境（S/T）

6.3.1 晶圆制造向7-3nm及以下演进对纯度、均匀性、晶粒控制的阶梯式要求

6.3.2 大尺寸单晶靶材制备与真空溅射利用率提升

6.3.3 近三年靶材相关专利增长与微观结构控制技术布局

6.4 “十五五”规划与半导体靶材产业的战略衔接

6.4.1 《“十五五”规划纲要》中“突破关键核心技术、筑牢产业链安全屏障”的靶材映射

6.4.2 有研新材二期扩建作为“十五五”战略窗口的样本意义

6.4.3 各省市“十五五”新材料及集成电路专项规划中的靶材条目梳理

第7章 全球半导体溅射靶材行业发展概况与市场规模分析

7.1 全球市场规模演变、需求结构与区域格局

7.1.1 2022-2026年全球溅射靶材市场规模历史轨迹与增速剖析

7.1.2 全球需求结构演变及半导体用靶材占比变化趋势

7.1.3 全球产业链利润分配与高端及低端靶材价格趋势

7.1.4 2027-2033年全球市场增长中枢与结构性变化预判

7.2 全球市场供需格局

7.2.1 全球头部企业产能扩张与收缩动态

7.2.2 全球半导体资本开支周期与靶材需求的传导机制

7.3 2027-2033年全球半导体溅射靶材市场规模前景预测

7.3.1 全球半导体溅射靶材市场规模预测

7.3.2 保守、中性、乐观分情景下的2033年远期规模测算

第8章 中国半导体溅射靶材行业发展概况与市场规模分析

8.1 中国半导体溅射靶材市场规模与供需数据深度剖析

8.1.1 2022-2026年中国靶材全口径与半导体口径市场规模差异分析

8.1.2 中国增速与全球增速的比较分析

8.1.3 供需缺口分析及国内半导体靶材需求量与进口依赖度

8.1.4 国产替代趋势下的国内产能释放节奏与高端品类爬坡情况

8.2 中国半导体溅射靶材行业市场竞争与替代现状

8.2.1 国内厂商整体占有率与替代进度

8.2.2 整体自给率与半导体级高端国产化率的落差

8.2.3 先进制程国产化率攻坚重点

8.3 2027-2033年中国半导体溅射靶材市场规模前景预测

8.3.1 中国半导体靶材国产化率提升对本土市场规模的增量贡献

8.3.2 分情景下的2033年中国市场远期规模测算

第9章 全球及中国半导体溅射靶材行业重点区域市场分析

9.1 全球靶材产业区域总体格局与消费重心转移

9.1.1 全球区域分布特征：传统巨头垄断区 vs 增量需求爆发区

9.1.2 产业链视角的区域结构：原材料供应、靶材制造与晶圆制造消费的区域错配

9.2 北美市场规模、高端需求与供应链重构

9.2.1 聚焦先进逻辑与存储晶圆厂的市场规模与消费结构

9.2.2 本土化供应链诉求（CHIPS法案）对靶材采购的影响趋势

9.2.3 Materion、Solstice等本土巨头的市占率与盈利水平

9.3 欧洲市场规模、特种靶材与科研级需求

9.3.1 汽车半导体、工业传感及特种合金靶材需求结构

9.3.2 欧洲芯片法案下的产能扩张对靶材的边际拉动趋势

9.4 日韩市场规模、全球技术高地与垄断核心

9.4.1 日本市场JX金属、东曹等巨头的全球辐射能力与高纯金属提纯技术壁垒

9.4.2 韩国存储芯片扩产对钨、钼、钽靶材的强劲需求

9.4.3 日韩在高端靶材的绝对垄断格局分析

9.5 中国大陆市场规模、全球最大增量与国产替代主战场

9.5.1 300mm晶圆厂设备支出双位数增长带来的需求爆发

9.5.2 长三角、珠三角、环渤海的靶材产能与晶圆厂协同集群结构

9.5.3 从成熟制程向先进制程的验证与放量趋势

9.6 中国台湾地区市场规模与先进制程代工核心消费地分析

9.6.1 代工龙头的先进制程靶材消耗特征与市场规模

9.6.2 国产靶材厂商在台系的验证进展与份额提升空间

第10章 半导体溅射靶材行业细分产品结构、规模与竞争要点分析

10.1 细分产品分类及市场规模

10.1.1 按金属材质：铜靶、铝靶、钛靶、钽靶、钨/钼靶、钴靶

10.1.2 按制造工艺：熔炼法（EB）与粉末冶金法（HIP）

10.1.3 按纯度等级：半导体级、显示及光伏级的市场分层

10.1.4 高端品类增速分化及钽、钨、钴与稀有金属复合靶市场分析

10.2 细分产品竞争要点

10.2.1 高纯铜及铜合金靶：先进制程互连核心材料及国内龙头市占率情况

10.2.2 钴靶：国内龙头主导、HBM及先进制程关键阻挡层材料

10.2.3 钽靶：海外垄断程度最高且国产化率最低的品类之一

10.2.4 铝靶与钛靶：成熟制程与显示面板基本盘及提价弹性

10.2.5 稀土掺杂靶材与特殊功能合金靶的前瞻研发

10.2.6 多层复合结构靶材替代单一金属靶的趋势

第11章 半导体溅射靶材行业市场集中度与竞争格局分析

11.1 全球市场集中度分析

11.1.1 头部企业市场份额演变趋势

11.1.2 市场份额统计口径差异与含义

11.1.3 7nm以下高端市场与中低端市场的集中度分层

11.2 竞争格局特征

11.2.1 “高端垄断、中低端分散”的基本结构

11.2.2 日美企业在先进制程靶材中的供应主导权

11.2.3 国产厂商整体市占率提升轨迹与结构性短板

11.3 波特五力模型分析

11.3.1 现有竞争者竞争强度：寡头格局下的价格与认证博弈

11.3.2 新进入者威胁：技术、资金、人才与客户认证的四重门槛

11.3.3 替代品威胁：ALD/CVD对PVD的部分替代边界与2nm以下风险

11.3.4 供应商议价能力：高纯金属原料集中度与稀土掺杂材料的战略属性

11.3.5 购买者议价能力：晶圆厂认证粘性与产能分配逻辑

11.4 SWOT分析

11.4.1 优势（S）：国内头部企业制程覆盖、客户导入与成本响应速度

11.4.2 劣势（W）：高端品类纯度及均匀性差距、核心装备依赖进口

11.4.3 机会（O）：AI算力、HBM、先进封装、十五五政策窗口

11.4.4 威胁（T）：海外出口管制、原材料供给中断、替代工艺路线演进

第12章 半导体溅射靶材行业重点企业/玩家分析（可按需定制）

12.1 海外龙头厂商分析

12.1.1 JX金属（JX Metals，日矿金属）

12.1.1.1 企业概述与全球靶材业务定位

12.1.1.2 核心竞争力：高纯铜技术、全品类覆盖、先进制程供应地位

12.1.1.3 经营情况：半导体材料分部营收及利润增速与营业利润率

12.1.1.4 市场占有率及份额变化趋势

12.1.2 东曹（Tosoh）

12.1.2.1 企业概述与高纯钛靶及GaN靶双线布局

12.1.2.2 核心竞争力与先进材料营业利润率变化

12.1.2.3 经营情况与市场占有率

12.1.3 Materion（马特森）

12.1.3.1 企业概述与全球先进材料平台定位

12.1.3.2 核心竞争力：钽靶、贵金属及特种合金靶的领先地位

12.1.3.3 经营情况、亚洲扩产与市场占有率

12.1.4 Solstice Advanced Materials（原霍尼韦尔先进材料业务）

12.1.4.1 企业概述及自霍尼韦尔分拆上市与承继靶材业务情况

12.1.4.2 核心竞争力：铜锰靶extrusion工艺与晶粒控制及先进逻辑与存储核心供应商地位

12.1.4.3 经营情况与市场占有率

12.1.5 Linde（林德，原普莱克斯靶材业务）

12.1.5.1 企业概述与靶材业务沿革

12.1.5.2 核心竞争力与全球市场份额

12.2 国内重点上市公司分析

12.2.1 江丰电子

12.2.1.1 企业概述与“靶材+零部件”双轮战略

12.2.1.2 核心竞争力：靶材出货量全球第一及先进制程3-5nm批量应用

12.2.1.3 经营情况：近年营收、靶材业务毛利率与增速

12.2.1.4 市场占有率与全球排名

12.2.2 有研新材（有研亿金）

12.2.2.1 企业概述与垂直一体化产业布局

12.2.2.2 核心竞争力：铜靶及钴靶国内领先与12英寸高端靶材占比提升

12.2.2.3 经营情况与二期扩建产能规划

12.2.2.4 市场占有率与高端产品结构升级路径

12.2.3 欧莱新材

12.2.3.1 企业概述：平板显示靶材龙头及半导体第二增长极

12.2.3.2 核心竞争力：G5-G11全世代线覆盖与高纯无氧铜技术

12.2.3.3 经营情况与半导体高纯材料项目进展

12.2.3.4 显示靶材市场占有率与半导体拓展节奏

12.2.4 阿石创

12.2.4.1 企业概述与PVD材料平台化布局

12.2.4.2 核心竞争力：钼靶全球市占率第一及显示靶材细分冠军

12.2.4.3 经营情况与半导体级靶材拓展进展

12.2.5 隆华科技

12.2.5.1 企业概述：光伏及显示靶材重要供应商

12.2.5.2 核心竞争力：钙钛矿靶材领先与高世代AMOLED靶材突破

12.2.5.3 半导体靶材布局进展与差异化定位

第13章 半导体溅射靶材行业前沿性布局、新场景与新质生产力融合

13.1 新质生产力在半导体靶材行业的映射

13.1.1 超高纯金属提纯与微观组织控制作为“材料新质生产力”的核心载体

13.1.2 垂直一体化对全要素生产率的提升机制

13.1.3 靶材回收与循环利用作为产业链闭环的新兴方向

13.2 前瞻性市场分析之AI芯片与先进封装需求

13.2.1 AI算力芯片对铜互连及钴阻挡层靶材的增量拉动

13.2.2 HBM世代演进对钨、钼、钽靶消耗的乘数效应

13.2.3 Chiplet及异构集成中TSV与RDL的新场景靶材品种拓展

13.3 未来产业与新旧产业融合情况分析

13.3.1 显示技术升级（柔性、高刷新率、Micro-LED）对靶材的新要求

13.3.2 光伏新型电池路线对ITO、AZO及合金靶材的潜在重塑

第14章 半导体溅射靶材行业驱动因素、不利因素、机遇与挑战及前景预测

14.1 驱动行业发展的核心因素分析

14.1.1 需求驱动：晶圆厂扩产 × 先进制程升级 × 先进封装渗透

14.1.2 供给驱动：海外扩产受限与国产产能爬坡的错位

14.1.3 价格驱动：金属成本上涨与提价周期的持续性判断

14.1.4 政策驱动：“十五五”关键材料战略与国产替代的制度性推力

14.2 行业发展的不利因素分析

14.2.1 高端品类纯度及均匀性技术差距与核心装备进口依赖

14.2.2 客户认证长周期与供应链粘性对国产导入的迟滞效应

14.2.3 低端产能同质化竞争对行业整体盈利空间的挤压

14.3 行业机遇与挑战综合分析

14.3.1 投资机遇：先进制程靶材国产突破的“从0到1”机遇

14.3.2 投资机遇：提价周期中盈利弹性最大的品类与标的

14.3.3 投资机遇：一级市场与产业资本关注方向之装备、原材料、回收

14.3.4 面临挑战：替代技术路线（ALD/CVD）演进与地缘政治博弈

14.4 行业整体发展趋势与2027-2033年前景预测

14.4.1 靶材品类结构趋势：钽、钴、钨等高价值品类占比提升

14.4.2 竞争格局趋势：国产份额结构性提升与高端寡头格局短期难破

14.4.3 半导体靶材细分品类2033年规模展望

14.4.4 国产化率提升对国内企业可及市场空间的敏感性测算

第15章 半导体溅射靶材行业主要壁垒构成与相关风险分析

15.1 行业主要壁垒

15.1.1 技术壁垒：纯度、致密度、晶粒取向与绑定精度的复合门槛

15.1.2 客户认证壁垒：长周期、多机台、分腔体认证的粘性机制

15.1.3 资金与装备壁垒：高纯金属提纯与电子束焊接设备的进口依赖

15.1.4 原材料壁垒：高纯金属供应链的集中度与地缘暴露

15.2 相关风险

15.2.1 下游晶圆厂扩产及行业景气度波动风险

15.2.2 高纯金属原材料价格波动与成本传导风险

15.2.3 产能建设与项目进度不及预期风险

15.2.4 客户认证与验证转化进度不及预期风险

15.2.5 行业竞争加剧风险：低端产能过剩与价格战

15.2.6 国际贸易摩擦、出口管制政策与供应链稳定性风险

15.2.7 替代技术路线风险：2nm以下ALD/CVD对PVD的部分替代

第16章 半导体溅射靶材行业研究结论及建议