AI算力爆发，铟资源迎历史性重估机遇
1、行业概况
铟（Indium, In） 是一种银白色软质稀散金属，原子序数49，属IIIA族。铟具有极低熔点、优良的导电性、透明导电性及对红外光的高透过率，是制造ITO（氧化铟锡）靶材的核心原料，也是磷化铟（InP）、锑化铟（InSb） 等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的关键衬底材料。铟几乎不独立成矿，主要以伴生形式赋存于锌、铅、锡等硫化矿中，通常从锌冶炼的烟尘、浸出渣等副产物中回收。根据纯度，铟产品分为粗铟（~99%）、精铟（4N-5N）、高纯铟（6N及以上）和超高纯铟（7N-8N），不同纯度对应不同高端应用场景。
据普华有策统计，2022年至2025年全球精铟产量分别为2,280吨、2,342吨、2,530吨和2,682吨，其中原生铟产量分别为1,041吨、1,069吨、1,116吨和1,150吨。全球原生铟产量受锌冶炼行业整体亏损影响，扩产动力不足，中国虽是最大原生铟生产国，但部分中小冶炼厂因环保及能耗管控关停；再生铟方面，日本回收技术领先（回收率约70%），国内受限于废料收集体系及提纯能力，再生铟占比仍较低，整体供给刚性突出，库存处于历史相对低位。需求端，2025年全球精铟消费量为2,316吨，ITO靶材占比近80%，传统显示需求受益于大尺寸LCD、OLED及车载显示保持稳步增长，而AI算力建设进入加速期，800G光模块规模出货、1.6T进入客户验证，磷化铟衬底出现明显供需缺口，化合物半导体对6N及以上高纯铟的需求快速提升，同时车载激光雷达（1550nm方案）及6G前沿研究开始起量。受供给收紧与AI需求预期拉动，铟价较2024年低点已有显著回升，市场关注度提升，但距离历史高点仍有空间。
2025年全球铟产品下游应用情况
资料来源：普华有策
2、竞争格局
（1）上游资源与冶炼环节
全球原生铟产量高度集中于中国，但单个企业产能分散，尚无绝对龙头。主要生产商均为大型铅锌冶炼企业，铟作为副产品，其产量受主产品锌的开工率影响较大。其中，锡业股份依托云南都龙超大型多金属矿，铟资源储量优势显著，是全国最大的原生铟生产基地之一。株冶集团、中金岭南等也在综合回收领域占有一定份额。由于锌冶炼行业整体承压，中小冶炼企业陆续退出，行业集中度呈提升趋势。
（2）高纯铟环节
全球高纯铟市场由日本企业主导，Dowa、Rasa等凭借数十年技术积累，垄断住友、AXT等磷化铟龙头的高纯铟供应，纯度可达7N以上。国内企业起步较晚，先导稀材、株洲科能、京蓝科技等可生产5N-6N级产品，主要供应ITO靶材及部分中低端半导体客户。7N级超高纯铟仍存在“卡脖子”问题，产能受制于定制化设备采购周期及客户长周期验证壁垒。
（3）磷化铟衬底环节
全球磷化铟衬底市场呈现寡头垄断格局。日本住友电工市占率约六成，采用VB法技术成熟且良率稳定；美国AXT（北京通美）市占率约三成多，凭借VGF法实现6英寸量产且成本优势突出；加上法国II-VI、日本JX金属等，合计垄断全球95%以上产能。供需缺口较为明显，行业高景气度预计延续数年。国内突围企业中，云南锗业（鑫耀半导体）进展最快，4英寸已批量供货，6英寸通过华为海思验证，在建扩产项目将大幅提升产能；三安光电已实现6英寸衬底月产万片级别，进入华为供应链；博杰股份（鼎泰芯源）建成国内首条自主知识产权InP衬底生产线。国产化进程正加速推进。
3、驱动铟行业发展的核心因素
（1）AI算力资本开支进入加速期
2026年全球AI基础设施建设资本支出较上年大幅增长，云服务商为训练和推理大规模模型持续投入算力集群。GPU之间数据互联必须依靠高速光模块，当前800G光模块已规模出货，1.6T进入客户验证。磷化铟作为EML激光器和APD探测器的核心衬底材料，其需求与光模块出货量直接挂钩。据官方产业信息，单颗800G光模块需要数颗至十数颗磷化铟芯片，1.6T方案单位带宽铟消耗倍数级提升。这一趋势是当前铟需求增长最强的边际变量。
（2）供给刚性难以短期突破
铟的主要来源是锌冶炼副产物，而锌冶炼行业受能耗双控、环保监管及加工费低迷影响，长期缺乏扩产动力。部分主产区还面临铟伴生品位下降的问题。再生铟方面，废ITO靶材及含铟废液回收技术虽有进步，但国内回收体系尚不完善，提纯成本高，短期内难以成为主力供给。此外，从高纯铟到磷化铟衬底的扩产周期长达1.5至3年，且核心设备依赖进口，导致供给弹性极低。供需缺口预计将持续较长时间。
（3）政策战略支撑与国产替代
“十五五”规划纲要明确提出加快化合物半导体材料攻关，将磷化铟等列为关键电子材料。2025年中央经济工作会议强调“增强产业链供应链安全可控水平”。2026年两会政府工作报告部署“培育壮大新兴产业，打造集成电路、新型显示、新材料等新支柱产业”。工信部2026年工作要点将磷化铟衬底纳入产业基础再造工程。地方层面，云南省提出做强铟、锗产业链，推动高纯铟及磷化铟衬底产业化。这些政策为国内企业技术攻关和产能扩张提供了明确导向及资源倾斜。
（4）新场景拓展提供长期期权
车载激光雷达领域，1550nm方案因探测距离远、人眼安全等优势，正逐步在中高端自动驾驶车型中渗透，其发射端和接收端均需磷化铟基器件。6G通信预研表明，太赫兹频段下磷化铟的高电子迁移率特性使其成为射频前端及光子集成芯片的候选核心材料。此外，红外探测、航天光伏等领域亦存在增量空间。虽然这些场景当前体量有限，但为铟行业中长期需求提供了潜在爆发点。
（5）资源稀缺性价值重估
铟被列入国家战略性关键矿产目录，新一轮找矿突破战略行动强化对其伴生资源的评价与保护性利用。市场对稀有资源的稀缺性认知逐步加深，叠加供给无弹性、需求有爆发的格局，铟的长期价格中枢有望上移。资源储备雄厚的企业将显著受益。
4、发展趋势
（1）磷化铟衬底大尺寸化加速
为降低单颗芯片成本，磷化铟衬底正从4英寸向6英寸、进而向8英寸演进。6英寸衬底相比4英寸可利用面积大幅提升，但大尺寸单晶生长时位错密度控制和晶圆加工良率挑战更大。国内企业已实现6英寸量产，部分领先企业已规划8英寸外延技术研发。大尺寸化将推动单位衬底消耗的高纯铟量增加（面积扩大），同时阶段性降低良率，反而提升单位芯片的铟消耗强度。
（2）高纯铟国产化攻坚
7N级以上超高纯铟长期依赖进口，是产业链“卡脖子”环节之一。在国家政策驱动下，国内先导稀材、株洲科能等企业正加大研发投入，优化真空蒸馏+区域熔炼组合工艺，提升对痕量杂质的去除能力。同时，下游磷化铟衬底企业为保障供应链安全，积极与国内高纯铟供应商开展联合验证。预计未来数年内，6N级高纯铟将基本实现自给，7N级有望取得突破。
（3）产业链纵向一体化整合
部分龙头企业正从单一环节向“资源—高纯铟—磷化铟衬底—外延”全链条延伸。云南锗业依托自身锗资源优势，同时布局磷化铟衬底及砷化镓衬底；三安光电从LED芯片向上游衬底材料延伸；锡业股份则强化资源端优势并参与高纯化研究。一体化有助于降低对外依赖、提升议价能力，并加速国产化验证进程。
（4）再生铟回收体系完善
随着ITO靶材及电子废弃物数量累积，再生铟的潜在供给规模增加。政策鼓励废靶材、液晶面板拆解废料中含铟资源的绿色回收技术研发。日本已有较高回收率，国内企业如先导稀材等也在布局回收产能。中长期看，再生铟占比有望提升，部分缓解原生铟供给压力，但高纯度回收仍存在技术经济性挑战。
（5）AI光模块技术路线迭代影响需求强度
当前主流方案为磷化铟基EML+APD分立芯片。硅光集成方案中，部分收发功能可集成于硅基，但仍需磷化铟作为泵浦光源。若未来全硅光电集成取得突破，或出现替代性发光材料，可能对磷化铟需求产生冲击。但短期内，磷化铟在高速、低损耗、长波长通信中的综合性能优势难以被替代，行业主流判断认为其作为高端光模块核心衬底的地位稳固。
北京普华有策信息咨询有限公司《2026-2032年铟行业深度研究及趋势前景预判专项报告》告系统分析了铟行业从供给到需求的全链条格局。供给端，铟主要作为锌冶炼副产物，受锌冶炼亏损、环保约束及伴生品位下降影响，原生铟增量有限，再生铟回收技术壁垒高，整体呈现紧平衡。需求端，传统ITO靶材（显示面板）基本盘稳固，而AI算力建设驱动的800G/1.6T高速光模块正成为核心增长极——磷化铟（InP）衬底需求呈指数级上升，预计未来数年光模块用铟占比将大幅提升。政策层面，“十五五”规划、中央经济工作会议及2026年两会明确将关键矿产安全、化合物半导体国产化列为战略方向。竞争格局方面，全球磷化铟市场被日本住友、AXT等巨头高度垄断，国内云南锗业、三安光电正加速突围；高纯铟提纯仍是“卡脖子”环节。投资机遇集中于资源端龙头与技术突破型材料企业，需警惕价格波动与技术迭代风险。