十五五开局，碳化硅（SiC）的“黄金十年”开启？

1、碳化硅（SiC）行业概况

碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表，具有禁带宽度大（约3.2eV）、击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速度快等特点。SiC功率器件主要分为肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及功率模块，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、工业电源及新兴的AI数据中心电源、先进封装中介层、AR眼镜光波导等场景。

十四五以来，国家将第三代半导体列为战略性新兴产业。2025年中央经济工作会议强调“加快人工智能基础设施建设，突破先进功率半导体瓶颈”。2026年政府工作报告明确提出“推动第三代半导体规模化应用，支持8寸及以上衬底产业化”。“十五五”规划纲要专章部署“宽禁带半导体材料与器件”，并设立科技专项。地方层面，北京、上海、深圳、山东等地出台配套资金与用地优惠政策。总体看，政策从顶层设计到地方落地形成闭环，为SiC行业提供了稳定的发展环境。

2、碳化硅（SiC）产业链总结及影响

（1）产业链概览与上下游相互作用

SiC产业链从上游的高纯硅粉/碳粉、长晶设备、热场材料、切割抛光耗材，到中游的衬底制造、外延生长、器件设计及制造、封装测试，再到下游的新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI数据中心电源、先进封装中介层、AR眼镜光波导、智能电网固态变压器等。上游原料及设备的国产化程度直接决定中游衬底成本；中游衬底良率和器件可靠性则影响下游应用的渗透速度；下游新场景的爆发又反向拉动上游扩产和技术迭代，形成正反馈循环。

（2）当前产业链格局对行业的影响

目前，全球SiC产业链呈现“国际IDM主导、国内专业分工追赶”的格局。上游高纯石墨件、保温材料仍部分依赖进口，制约了国内8寸产线完全自主可控。中游衬底环节，国内头部企业已实现6寸导电型衬底批量供货，8寸进入小批量验证，但与Wolfspeed等国际领先水平尚有差距。下游车规市场渗透率持续提升，AI电源、先进封装等新场景开始贡献增量，带动行业景气度反转。整体看，产业链协同创新、短板补齐是未来3-5年行业发展的关键。

3、碳化硅（SiC）行业竞争格局

（1）全球竞争格局

全球SiC市场呈现明显的寡头特征。Wolfspeed（美国）凭借从衬底到器件的全产业链布局，8寸衬底量产进度领先；英飞凌（德国）在车规SiC MOSFET模块领域市占率较高，封装技术优势明显；罗姆（日本）较早布局8寸，SBD产品线齐全；安森美（美国）通过并购整合，聚焦电动汽车和工业电源市场。这几家企业占据了全球SiC器件市场的大部分份额，且均在中国设有销售或制造基地。

（2）国内竞争格局

国内SiC企业主要采取“专业分工”模式。衬底环节，天岳先进在半绝缘型衬底领域全球领先，导电型衬底快速追赶；三安光电实现从衬底、外延到器件的全产业链布局，产能规模较大。设备环节，晶升股份的长晶设备已配套国内多数衬底厂商；晶盛机电从光伏设备延伸至SiC长晶、切割、抛光全流程设备。器件环节，国内IDM企业如士兰微、华润微等已量产SiC SBD和MOSFET，但车规级产品验证周期仍较长。

（3）竞争趋势

随着8寸衬底产能陆续释放，衬底价格呈下降趋势，部分低端产品竞争加剧。为应对价格压力，多家企业开始向垂直一体化延伸——衬底企业涉足外延甚至器件，器件企业向上游布局衬底。同时，国际巨头通过技术授权、合资建厂等方式加深与中国市场的绑定。未来三年，具备成本控制能力、客户认证优势和持续研发投入的企业有望在竞争中胜出。

4、驱动碳化硅（SiC）行业发展的核心因素

（1）AI算力爆发倒逼电源架构升级

AI数据中心单机柜功耗从过去的10-20kW上升至100kW以上，甚至向兆瓦级演进。传统硅基电源在高频、高压、高温环境下效率偏低，而SiC器件凭借高开关频率、低开关损耗、耐高温等特性，成为AI服务器电源（如PSU、GPU供电模块）的理想选择。2025年中央经济工作会议明确“加快人工智能基础设施建设”，直接拉动了对高性能功率半导体的需求。

（2）新能源汽车800V平台渗透率提升

为缩短充电时间、提升续航里程，主流车企纷纷推出800V高压平台，主驱逆变器、车载充电机（OBC）、DC-DC变换器中SiC替代硅基IGBT的趋势不可逆转。即使当前车规SiC渗透率仍较低（尤其是A级以下车型），但中高端车型已开始规模应用。预计随着成本下降，SiC将从高端车型向大众车型渗透。

（3）8寸衬底良率突破带来成本下降

过去阻碍SiC大规模应用的核心瓶颈是衬底成本。随着8寸长晶工艺改进、切割抛光技术提升，单片8寸衬底可产出的芯片数量约为6寸的1.8倍，而加工成本增幅远低于面积增幅。部分头部厂商的8寸良率已接近6寸水平，推动整体成本下降。成本的降低将进一步刺激下游需求，形成良性循环。

（4）政策持续加码，从“十四五”到“十五五”

“十四五”期间，国家通过原材料工业发展规划、能源电子指导意见等支持第三代半导体发展。2025年中央经济工作会议、2026年政府工作报告以及“十五五”规划纲要，均将宽禁带半导体列为战略重点，并设立科技专项。地方层面，北京、上海、深圳等地出台配套资金、用地、税收优惠政策，为SiC产业提供了稳定的发展环境。

（5）新场景从0到1：CoWoS、AR眼镜、固态变压器

台积电已明确在CoWoS先进封装中采用SiC中介层以改善散热和翘曲，2026年开始交付，后续需求预期大幅增长。AR眼镜若采用SiC光波导方案，可实现更高的折射率和更轻的重量，远期市场规模可观。此外，SiC固态变压器（SST）在智能电网、分布式能源中的应用示范项目正在推进，打开了工控和能源领域的增量空间。

5、碳化硅（SiC）行业主要壁垒分析

碳化硅（SiC）行业主要壁垒构成

资料来源：普华有策

北京普华有策信息咨询有限公司《2026-2032年SiC产业深度研究及趋势前景预判报告》从行业定义出发，梳理SiC作为第三代半导体材料的技术特性与发展历程，重点分析了十四五以来至2026年5月的国家及地方产业政策，结合2025年中央经济工作会议、2026年两会政府工作报告及十五五规划纲要中的相关表述。报告阐述了当前技术水平及特点，构建了从上游原料、衬底外延、器件设计制造到下游应用的完整产业链图谱，并分别给出简版与略详细版。上游原料供应格局、中游产能分布、下游AI电源、先进封装、AR眼镜及车规市场等新场景对行业的拉动作用得到系统分析。竞争格局方面，列举了国内外重点玩家及其核心优势。最后提炼了核心驱动因素，并展望了发展前景与趋势，强调AI数据中心、CoWoS、固态变压器等前沿布局将成为SiC行业的新增长主线。

目录

第1章 SiC行业总览与发展概况

1.1 全球及中国SiC行业发展历程与当前阶段

1.1.1 全球SiC行业发展历程与当前阶段

1.1.2 中国SiC行业发展历程与当前阶段

1.1.3 2021-2025年全球与中国发展对比（规模、增速、技术代际）

1.2 产业政策与规划

1.2.1 国家层面：《国民经济十五五规划纲要》对第三代半导体的定位

1.2.2 2025年中央经济工作会议涉及半导体、AI基础设施的表述

1.2.3 2026年政府工作报告与两会“十五五”规划纲要中的SiC相关要点

1.2.4 地方政策（重点省市：北京、上海、深圳、山东、浙江等）

1.3 SiC相关技术发展趋势

1.3.1 衬底技术（6寸→8寸→12寸进展）

1.3.2 外延与器件技术（MOSFET、SBD、IGBT等）

1.3.3 先进封装技术（CoWoS中的SiC中介层、SiC固态变压器SST）

第2章 SiC行业PEST分析

2.1 政治因素（Political）

2.1.1 主要国家半导体政策导向

2.1.2 中美科技博弈对SiC供应链的影响

2.2 经济因素（Economic）

2.2.1 全球半导体周期与AI投资对SiC的拉动

2.2.2 宏观经济波动对SiC终端需求的影响

2.3 社会因素（Social）

2.3.1 绿色能源与高效算力需求的社会共识

2.3.2 消费者对新能源汽车与智能设备的接受度

2.4 技术因素（Technological）

2.4.1 从6寸到8寸、从功率到先进封装的技术跃迁

2.4.2 国内外技术差距与追赶进程

第3章 全球SiC行业分析

3.1 全球SiC整体市场历史规模（2021-2025年）

3.1.1 2021-2025年市场规模（亿美元）

3.1.2 历史增长率（CAGR）分析

3.2 全球供需平衡历史分析

3.2.1 全球产能规划（6寸/8寸产线）

3.2.2 需求侧拆解与供需缺口判断

3.3 全球竞争位势演变

3.3.1 国际巨头与国内厂商的竞争位势

3.3.2 全球市场集中度（CRN）历史变化

第4章 SiC行业行业特征和产业链综述

4.1 行业核心特征

4.1.1 技术与资本双重密集

4.1.2 长验证周期与高客户粘性

4.1.3 AI驱动替代传统车规成为新的成长主线

4.2 产业链综述（上游、中游、下游概览）

4.3 上游分析

4.3.1 上游原料情况

4.3.1.1 高纯硅粉、碳粉供应格局

4.3.1.2 长晶设备与热场材料

4.3.1.3 衬底加工耗材（切割液、抛光液、金刚石线等）

4.3.2 上游供应集中度与议价能力

4.3.2.1 全球主要原料供应商分布

4.3.2.2 中国国产化进展

4.4 中游分析

4.4.1 SiC衬底制造（长晶、切割、抛光）

4.4.2 SiC外延片生产

4.4.3 SiC器件设计与制造（SBD、MOSFET、模块）

4.4.4 中游产能分布与技术瓶颈

第5章 SiC行业细分产品分析

5.1 SiC衬底（导电型、半绝缘型）

5.1.1 历史规模（2021-2025）

5.1.2 技术进展与成本趋势

5.2 SiC外延片

5.2.1 历史规模

5.2.2 外延技术对比

5.3 SiC功率器件（SBD、MOSFET、模块）

5.3.1 历史规模

5.3.2 器件渗透率与价格走势

5.4 SiC在先进封装中的应用（中介层）

5.4.1 技术路径

5.4.2 市场规模初步测算

第6章 SiC行业企业分析

6.1 产业链受益环节与核心公司深度分析

6.1.1 衬底环节：最核心价值量

6.1.2 设备环节：8寸扩产带动需求

6.2 重点公司梳理

6.2.1 天岳先进

6.2.1.1 企业概述

6.2.1.2 核心竞争力分析（技术、客户、产能）

6.2.1.3 经营情况分析（营收、毛利率、SiC衬底出货量）

6.2.1.4 前沿与新场景布局（12寸衬底、SST用衬底、AI电源配套）

6.2.2 晶升股份

6.2.2.1 企业概述

6.2.2.2 核心竞争力（长晶设备技术、绑定头部客户）

6.2.2.3 经营情况分析

6.2.2.4 前沿与新场景布局（AI电源设备配套、8寸设备研发）

6.2.3 晶盛机电

6.2.3.1 企业概述

6.2.3.2 核心竞争力

6.2.3.3 经营情况分析

6.2.3.4 前沿与新场景布局

6.2.4 三安光电

6.2.4.1 企业概述

6.2.4.2 核心竞争力

6.2.4.3 经营情况分析

6.2.4.4 前沿与新场景布局

6.3 企业市场占有率（2025年分环节）

6.3.1 全球SiC衬底市场占有率

6.3.2 全球SiC器件市场占有率

6.3.3 中国SiC市场占有率

6.4 国际可比公司简要对比

6.4.1 Wolfspeed、Coherent、罗姆等概况

6.4.2 国内外公司技术及产能对比

第7章 SiC行业下游分析

7.1 行业景气度回顾与反转信号

7.1.1 全球SiC行业Q1景气度总结

7.1.2 AI电源需求：本轮反转的核心驱动力

7.1.3 头部企业动态（富士康、博世、三星等）

7.2 AI电源：核心增量市场

7.2.1 AI数据中心功耗上升与800V架构对SiC的拉动

7.2.2 电源市场定性分析与成长逻辑

7.3 CoWoS先进封装中的SiC

7.3.1 台积电12英寸中介层SiC衬底需求落地

7.3.2 交付节奏与翻倍增长预期

7.4 AR眼镜中的SiC

7.4.1 AR眼镜远期销量展望

7.4.2 SiC在AI终端中的材料优势

7.5 传统车规市场

7.5.1 当前车规SiC渗透率评估

7.5.2 与AI需求叠加后的总市场展望

7.6 其他前沿布局与新场景

7.6.1 固态变压器（SST）在智能电网中的应用

7.6.2 SiC在超充桩、光伏逆变器中的份额提升

7.6.3 低空经济（eVTOL）对轻量化功率器件的需求

第8章 SiC行业区域分析

8.1 北美市场

8.1.1 市场规模（2021-2025，2026-2032预测）

8.1.2 发展趋势：AI数据中心驱动、特斯拉等车企SiC渗透

8.1.3 结构特点：器件设计强、衬底依赖外部

8.1.4 主要企业布局（Wolfspeed、安森美等）

8.2 欧洲市场

8.2.1 市场规模与增速

8.2.2 发展趋势：汽车工业转型、博世/英飞凌扩产

8.2.3 结构特点：IDM模式主导，车规验证严苛

8.3 日韩市场

8.3.1 日本：罗姆、三菱电机等，衬底与器件并重

8.3.2 韩国：三星、SK集团积极布局SiC

8.3.3 两地市场规模对比与趋势

8.4 中国市场

8.4.1 市场规模与全球份额

8.4.2 区域集聚：长三角（衬底）、珠三角（封装）、山东（设备）

8.4.3 发展趋势：国产替代提速、AI电源放量

8.5 其他新兴区域

8.5.1 东南亚（马来西亚、越南等）SiC封装布局

8.5.2 印度半导体政策对SiC吸引力的影响

第9章 SiC行业集中度和竞争格局

9.1 市场集中度（CRN）

9.1.1 全球SiC衬底市场集中度（2021-2025）

9.1.2 全球SiC器件市场集中度

9.1.3 中国市场集中度

9.2 竞争格局整体描述

9.2.1 IDM vs. 衬底+外延+器件分工模式

9.2.2 国际巨头与国内厂商的竞争位势

9.3 SWOT分析

9.3.1 优势（S）

9.3.2 劣势（W）

9.3.3 机会（O）

9.3.4 威胁（T）

9.4 波特五力模型

9.4.1 供应商议价能力

9.4.2 购买者议价能力

9.4.3 新进入者威胁

9.4.4 替代品威胁（GaN、传统硅）

9.4.5 行业内竞争程度

第10章 驱动SiC行业发展的核心因素与不利因素分析

10.1 核心驱动因素

10.1.1 AI算力功耗倒逼电源架构升级

10.1.2 800V高压平台渗透率提升

10.1.3 8寸衬底良率突破带来成本下降

10.1.4 政策持续加码第三代半导体

10.2 不利因素分析

10.2.1 产能扩张过快导致价格战风险

10.2.2 衬底良率提升不及预期

10.2.3 地缘政治影响供应链稳定性

10.2.4 替代技术（GaN）在中低压场景的竞争

第11章 SiC行业机遇与挑战

11.1 投资机遇

11.1.1 衬底环节国产替代窗口期

11.1.2 设备端（8寸长晶、切割、抛光）增量机会

11.1.3 新场景催化（CoWoS、AR眼镜、SST）

11.2 挑战

11.2.1 新应用推进不及预期

11.2.2 行业竞争加剧（国产化与价格战）

11.2.3 技术路径替代风险（如GaN在中低压场景）

第12章 SiC行业壁垒分析

12.1 技术壁垒

12.1.1 长晶工艺与缺陷控制

12.1.2 切割与抛光精度

12.2 资金壁垒

12.2.1 重资产投入与扩产成本

12.2.2 研发与设备折旧压力

12.3 人才壁垒

12.3.1 专业人才稀缺性与培养周期

12.3.2 国际人才竞争与国内供给缺口

12.4 客户认证壁垒

12.4.1 车规与AI电源认证周期长

12.4.2 验证成本与客户粘性

第13章 SiC行业市场前景预测（2026-2032年）

13.1 整体市场规模前景预测

13.1.1 全球SiC衬底市场预测（分应用）

13.1.2 全球SiC器件市场预测

13.1.3 中国市场预测

13.2 关键应用场景定量测算

13.2.1 电源市场：2030年SiC衬底需求近XXX亿元

13.2.2 CoWoS：XX%替代率下2030年衬底需求超XXX亿元

13.2.3 AR眼镜：远期衬底需求约XXX亿元

13.2.4 8寸Fab线扩产对衬底与设备的催化

13.3 敏感性分析

13.3.1 AI数据中心建设速度对SiC需求的影响

13.3.2 CoWoS替代率变化的影响

13.3.3 AR眼镜量产时间推迟/提前的影响

13.4 投资主线与市场定价逻辑

13.4.1 SiC成为“AI新主线”的依据

13.4.2 行业反转下的估值重定价预期

13.4.3 短期催化与长期成长性对比

第14章 SiC行业研究结论及建议