氮化镓（GaN）产业链分析、竞争格局及替代空间分析（附报告目录）

1、氮化镓（GaN）产业链结构分析

GaN企业产业链一般划分为上游的材料即衬底和外延片、中游的器件和模组、下游的系统和应用。GaN企业材料的应用，主要包括衬底制备和外延工艺两个环节。衬底是制作半导体器件的基础材料，一般为外延材料的同质材料或适配的异质材料制成的晶圆片。半导体行业的外延概念，是指在衬底上生长一层新单晶薄膜的过程，新单晶薄膜可以与衬底为同质材料，也可以是异质材料。经过外延生长环节制成的外延片，是半导体器件制造的基础原材料。

相关报告：北京普华有策信息咨询有限公司《2021-2027年氮化镓（GaN）产业细分市场研究与投资前景预测报告》

氮化镓（GaN）产业链结构图

资料来源：普华有策

氮化镓（GaN）材料是第三代半导体的代表，其具有出色的抗击穿能力，耐受更高的电子密度，有更高的电子迁移率，在半导体中通常用于光电子、微波射频和电力电子三大领域。其中，光电子领域包括了企业LED、激光器等应用，电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用，微波射频方向包含了通信、雷达预警等应用。

GaN企业是蓝、绿光企业LED企业的基础材料，1992企业年，日亚化学工业株式会社的中村修二等人借助蓝宝石衬底和氮化镓铟（InGaN）材料成功实现了高光输出效率蓝光企业LED企业的产业化，其后在蓝光企业LED企业芯片上涂覆黄色荧光粉的封装技术出现，实现了可以实用化的白光企业LED企业产品，开启了半导体照明及全彩色企业LED企业显示应用的新时代。

蓝宝石是目前企业GaN企业器件使用量最大、最成熟的衬底材料，通过蓝宝石衬底制造的企业GaN企业器件通常被归类为蓝宝石上氮化镓技术产品（GaN on Sapphire），大部分光电应用的企业GaN企业器件都是通过蓝宝石衬底外延企业GaN企业制造的。GaN企业半导体器件的另外两种常用衬底是企业Si企业和企业SiC，通常称为企业GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）器件，目前主要应用在射频器件、功率器件等领域。

2、第三代半导体潜在市场空间巨大

GaN企业主要用于企业LED、企业微波射频和功率器件等领域，企业目前企业GaN企业主要被用于企业5G企业有源天线系统（AAS）和手机功率放大器（PA）等新产品中。企业展望未来，企业5G企业通讯、企业消费电子快充和车规级充电成为企业GaN企业产品规模扩张的主要动力。

在企业5G企业和更高频率应用中，企业GaN企业的效率比企业LDMOS/硅器件要高企业10%-15%，企业预计在企业5G企业基站PA企业中份额将持续提升；企业手机快充逐渐普及，企业消费级快充将成为推动企业GaN企业功率器件渗透的重要因素。GaN RF企业市场规模将从企业2019企业年的企业7.4企业亿美元增长至超过企业20企业亿美元，企业年复合增长率为企业12%；企业此外，预计企业2024企业年企业GaN企业电源市场产值将超过企业3.5企业亿美元，企业CAGR企业达企业85%，企业其中企业GaN企业快充将成为推动产业高成长的主要力量。

3、市场格局分析及替代空间广阔企业

从企业GaAs、GaN企业和企业SiC企业市场竞争格局来看，企业目前化合物半导体产业链各环节以欧美、企业日韩和中国台湾企业为主，企业大陆企业在技术实力、企业产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距，企业市场话语权较弱。企业以砷化镓为例，企业GaAs企业产业链可分为上游外延片、企业中游晶圆制造和下游企业GaAs企业元件三大环节，企业三大环节均以海外企业为主导。企业其中，企业上游外延片前三大厂商分别为英国厂商企业IQE（54%）、台湾厂商企业VPEC（占比企业25%）和日本厂商住友化学（SumitomoChemical），企业CR3企业高达企业92%；企业中游晶圆代工领域台湾厂商稳懋一家独大，企业市场占有率高达企业71.1%；企业下游企业GaAs企业企业市占率前三均被美国厂商把持，企业分别为：Skyworks（32.3%）、Qorvo（26.0%）和企业Broadcom（9.1%），企业CR3企业为企业67.4%。企业大陆企业GaAs企业产业链竞争格局处于弱势，企业在单晶制造、企业外延片中的射频器件、企业IDM企业中的射频器件等环节竞争力相对缺失。

GaN企业方面，企业GaN企业器件产业链包括上游衬底及外延片、企业中游器件设计与制造和下游产品应用等环节，企业目前行业模式以企业IDM企业为主，企业但设计与制造环节已开始出现分工。企业其中，企业住友电工在企业GaN企业衬底领域一家独大，企业市场份额超过企业90%，企业外延片龙头包括企业IQE、企业COMAT企业等；GaN企业制造环节代表性企业包括稳懋、企业富士通和台积电，企业大陆方面以三安光电为代表。